Уменьшение длины затвора было достигнуто благодаря использованию в транзисторе сульфида молибдена. Этот материал имеет, по сравнению с кремнием, более низкую диэлектрическую проницаемость, благодаря чему управление напряжением на устройстве может достигаться затвором меньших размеров - углеродной нанотрубкой диаметром один нанометр.
Исследование ученых показало возможность обойти закон Мура, накладывающий ограничение на физические размеры электронных компонентов, при помощи использования специально подобранных материалов и архитектуры. В настоящее время, согласно этому закону, невозможны кремниевые транзисторы с длиной затвора меньше пяти нанометров.
Между тем ученые не предпринимали попыток компоновки транзисторов на чипе и не приступали к решению проблемы паразитных токов.
В настоящее время самыми прогрессивными считаются кремниевые микросхемы, созданные по 14-нанометровому технологическому процессу. Ведущие чипмейкеры, в частности Intel, Qualcomm и MediaTek, работают над электронными компонентами следующего, 10-нанометрового, поколения.