Апрель
Пн   5 12 19 26
Вт   6 13 20 27
Ср   7 14 21 28
Чт 1 8 15 22 29
Пт 2 9 16 23 30
Сб 3 10 17 24  
Вс 4 11 18 25  








Российский ученый открыл способ создания энергонезависимой электронной памяти

«Скирмионы (топологически нетривиальные конфигурации магнитного спина с вихреподобной структурой) могут стать основой будущих магнитных технологий памяти», - цитирует ДФГУ в своем сообщении слова господина Третьякова.

По словам ученого, «современные жесткие диски для хранения информации используют магнитные домены, чей минимальный физический размер уже достиг 100 нм», в то время как скирмионы могут поддерживать более высокую плотность.

«Такая память будет сохранять информацию даже при выключении питания», - подчеркнул Олег Третьяков.

О существующих технологиях производства электронной памяти читайте в материале «Ъ» «В России будет построена первая в мире фабрика микросхем памяти MRAM по технологии 65 нм».

Net4people.ru © Политика и экономика, события в мире.